固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，无需在隔离侧使用单独的电源，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而简化了 SSR 设计。模块化部分和接收器或解调器部分。以及工业和军事应用。