固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。航空航天和医疗系统。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。因此设计简单？如果是电容式的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。支持隔离以保护系统运行，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、

此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，