固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。航空航天和医疗系统。

此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，无需在隔离侧使用单独的电源，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，