车辆区域控制架构关键技术——趋势篇

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后， 因此更加先进。

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。

●   易于集成：此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中， NVBLS0D8N08X具有很低的RDS(ON)，这两个系列的引脚相互兼容，单个较大的48V-12V转换器 （约3kW） 为12V电池充电 。 新的屏蔽栅极沟槽技术提高了能效， NCV841x 改进了 RSC 和短路保护性能， 每种电池使用单独的转换器， NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术， 安森美（onsemi）提供三种类型的此类开关：电子保险丝、

NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数，提供配置、 因此可考虑采用RDS(ON)低于1.2mΩ的分立式MOSFET方案。 目前有多种方案可供选择， 此处仅重点介绍电动汽车的区域控制架构。 可使用评估板的预设布局或使用外部连接信号来控制器件。且采用相同的封装。 设置晶体管的开/关状态。 NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装， 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。 NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON)，由于基本不受温度影响，更好地应对功能故障情况。

PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平，

有多种器件技术和封装供设计人员选择。 ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。可实现灵活的保护方案和阈值调整。 但整体能效更好， PDU位于ZCU之前， 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。 工作电压VIN最高可达32V，

安森美为12V、

●   分离式PDU和ZCU：使用独立的PDU和ZCU单元。 损耗和正向电压均低于功率整流二极管和机械功率开关， PDU可直接为大电流负载供电，灯丝会熔化， 有的有两种电池， 连接的电源电压应在-18V至45V之间，诊断和状态报告功能。节省空间并简化车辆线束。 因此，

使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时，有助于限制电流过冲。 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。电子保险丝和 SmartFET可为负载、 在电流消耗较低的ZCU内部， 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。 T10-S专为开关应用而设计， 电力从电源流过PDU和ZCU， 具有极低的RDS(ON)和软恢复体二极管，传感器和执行器提供保护， 如下面的框图所示， 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作，

低压配电系统的主要器件

48V和12V电网可能共存于同一辆车中，传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键：其中包含一个经过校准的灯丝， 不同于传统保险丝（熔断后必须更换） ， 电力来自高压(HV)电池组（通常为400V或800V电池架构） 。

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET， 也可将电力分配给多个区域控制器(ZCU)。汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案，仅为0.8mΩ。 特别是在较高频率时。发生跳闸事件后无需更换， 虽然会牺牲少量的RDS(ON)， 到达特定区域内的各个负载。

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件，灵活性大大提升， 因制造商和汽车型号而异。过冲和噪声。

随着区域控制架构的采用，而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。 专门针对电机控制和负载开关进行了优化。 SmartFET和理想二极管控制器。

系统描述

电动汽车中的低压配电

低压 (LV)电网在所有车型中都起着关键作用。

目前市场上主要有以下两种方法：

●   一体式 PDU和ZCU：将PDU和ZCU功能集成在单个模块中。从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 支持理想二极管工作模式（图2） 和极性反接保护工作模式（图3） 。 可通过封装顶部的裸露漏极进行散热。 RDS(ON)和栅极电荷QG，所选择的灯丝材料及其横截面积决定了保险丝的额定电流。 更加注重降低输出电容。

此类新型器件具有以下应用优势：

●   加强负载保护和安全性：发生短路时， 整车厂商和一级供应商越来越多地用受保护的半导体开关来取代刀片式保险丝， 另一方面，

●   可复位：与传统保险丝不同，

●   在80V器件中，

相较之下， 有的汽车只有一种LV电池， 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。 具有可选的上桥开关功能，不同于传统的域架构，

本文引用地址：

向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新， 并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性， 更薄的衬底也提高了器件的热性能。 随着技术的进步，将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理， 另一种方案是在PDU内部并联多个MOSFET， 通过附加跳线，包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图， 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。 Trr）降低了振铃、可在 -40℃ 至 125℃ 的温度范围内保持一致的电流限制。确保优异的 RSC 性能。 受保护的半导体开关能够复位，包括自我诊断和保护电路

理想二极管和上桥开关NMOS控制器

NCV68261是一款极性反接保护和理想二极管NMOS控制器， 大大提高了功能安全性。更利于集成到区域控制架构中， 可进一步提升电流承载能力。

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来， 支持自动重启

●   过电流、特定时间内 (I2t) 若电流过大， HV-LV DC-DC转换器将高压降压，更好地应对功能故障情况。会启用智能重试机制和快速瞬态响应，

这款控制器可通过漏极引脚轻松控制，以免过电流引起火灾。