固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以支持高频功率控制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而实现高功率和高压SSR。工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，特别是对于高速开关应用。

此外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以及工业和军事应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。