固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，涵盖白色家电、以创建定制的 SSR。工业过程控制、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，航空航天和医疗系统。以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。