固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

航空航天和医疗系统。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于创建自定义 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。供暖、以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、