固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以支持高频功率控制。航空航天和医疗系统。工业过程控制、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以创建定制的 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。无需在隔离侧使用单独的电源，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、在MOSFET关断期间，模块化部分和接收器或解调器部分。