固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

但还有许多其他设计和性能考虑因素。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而实现高功率和高压SSR。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以及工业和军事应用。此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。特别是对于高速开关应用。每个部分包含一个线圈，负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。