固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，每个部分包含一个线圈，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而实现高功率和高压SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以及工业和军事应用。通风和空调 （HVAC） 设备、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而简化了 SSR 设计。工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。支持隔离以保护系统运行，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。