固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以支持高频功率控制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。该技术与标准CMOS处理兼容，支持隔离以保护系统运行，还需要散热和足够的气流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于创建自定义 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，涵盖白色家电、模块化部分和接收器或解调器部分。