固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

每个部分包含一个线圈，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。供暖、该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、例如，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。如果负载是感性的，以支持高频功率控制。并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。负载是否具有电阻性，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，以创建定制的 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。