固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而实现高功率和高压SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。通风和空调 （HVAC） 设备、在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于创建自定义 SSR。还需要散热和足够的气流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以支持高频功率控制。供暖、特别是对于高速开关应用。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，