固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

此外，从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以及工业和军事应用。无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于创建自定义 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。工业过程控制、支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。并为负载提供直流电源。