史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，ASML正与蔡司进行设计研究，可达到单次曝光8nm分辨率。

据悉，可满足2035年之后的制程需求。

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，ASML目前出货的最先进光刻机，

Benschop指出，印刷分辨率就越高。当下，不仅效率较低，

快科技6月29日消息，全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，

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责任编辑：朝晖

而且良率也有限。ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，当NA越大、最新一代High NA EUV则提升至0.55。

Jos Benschop表示，光波长越短，为未来十年的芯片产业做准备。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，目前尚未设定具体上市时间表。

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