固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，涵盖白色家电、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。无需在隔离侧使用单独的电源，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。还需要散热和足够的气流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。支持隔离以保护系统运行，特别是对于高速开关应用。该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，并为负载提供直流电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。