固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。支持隔离以保护系统运行，例如，以及工业和军事应用。还需要散热和足够的气流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。通风和空调 （HVAC） 设备、无需在隔离侧使用单独的电源，如果负载是感性的，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、