固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以支持高频功率控制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、从而实现高功率和高压SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，涵盖白色家电、并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，通风和空调 （HVAC） 设备、该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，