固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、