固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。如果负载是感性的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，通风和空调 （HVAC） 设备、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，负载是否具有电阻性，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。