固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于创建自定义 SSR。

此外，并为负载提供直流电源。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。

以及工业和军事应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以支持高频功率控制。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。