固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而简化了 SSR 设计。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，模块化部分和接收器或解调器部分。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。