固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以及工业和军事应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，每个部分包含一个线圈，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，特别是对于高速开关应用。涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。该技术与标准CMOS处理兼容，工业过程控制、