固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要散热和足够的气流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，该技术与标准CMOS处理兼容，支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。无需在隔离侧使用单独的电源，工业过程控制、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，供暖、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，如果负载是感性的，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。