固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。该技术与标准CMOS处理兼容，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。特别是对于高速开关应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并为负载提供直流电源。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。涵盖白色家电、如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

此外，以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，此外，从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，