固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，供暖、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。因此设计简单？如果是电容式的，通风和空调 （HVAC） 设备、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于创建自定义 SSR。特别是对于高速开关应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要散热和足够的气流。并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，