固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，支持隔离以保护系统运行，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，在MOSFET关断期间，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。该技术与标准CMOS处理兼容，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如，