固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。每个部分包含一个线圈，从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。该技术与标准CMOS处理兼容，通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并为负载提供直流电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，航空航天和医疗系统。无需在隔离侧使用单独的电源，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、以及工业和军事应用。可用于创建自定义 SSR。例如，

因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工业过程控制、