固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

航空航天和医疗系统。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，该技术与标准CMOS处理兼容，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。例如，