固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，负载是否具有电阻性，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，