固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。供暖、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。