固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。无需在隔离侧使用单独的电源，在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如，以及工业和军事应用。此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，通风和空调 （HVAC） 设备、支持隔离以保护系统运行，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。航空航天和医疗系统。并为负载提供直流电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。