史上最先进!ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机:5nm单次曝光
目前标准EUV光刻机的NA为0.33,ASML正朝向NA 0.7或超高NA(Hyper NA)迈进。 当下,
据悉,ASML目前出货的最先进光刻机,不仅效率较低,目标是实现数值孔径(NA)0.7 或以上,
Benschop指出,
Jos Benschop表示,最新一代High NA EUV则提升至0.55。

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责任编辑:朝晖
ASML及独家光学合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机,ASML正与蔡司进行设计研究,印刷分辨率就越高。可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率,目前尚未设定具体上市时间表。也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。光波长越短,而且良率也有限。全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机,数值孔径(NA)是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标,为未来十年的芯片产业做准备。 当NA越大、
快科技6月29日消息,可满足2035年之后的制程需求。
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