固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以及工业和军事应用。航空航天和医疗系统。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、并为负载提供直流电源。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。负载是否具有电阻性，