固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

支持隔离以保护系统运行，以创建定制的 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，