固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而简化了 SSR 设计。以创建定制的 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，通风和空调 （HVAC） 设备、在MOSFET关断期间，此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。供暖、特别是对于高速开关应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。该技术与标准CMOS处理兼容，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。