固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并为负载提供直流电源。每个部分包含一个线圈，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。还需要散热和足够的气流。供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。因此设计简单？如果是电容式的，支持隔离以保护系统运行，