固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。无需在隔离侧使用单独的电源，如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，以支持高频功率控制。通风和空调 （HVAC） 设备、从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。涵盖白色家电、工业过程控制、航空航天和医疗系统。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。每个部分包含一个线圈，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，