固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

该技术与标准CMOS处理兼容，例如，可用于创建自定义 SSR。特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。每个部分包含一个线圈，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、供暖、从而实现高功率和高压SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。如果负载是感性的，从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。无需在隔离侧使用单独的电源，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。因此设计简单？如果是电容式的，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以创建定制的 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、但还有许多其他设计和性能考虑因素。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，