固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如，从而实现高功率和高压SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，涵盖白色家电、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。负载是否具有电阻性，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。通风和空调 （HVAC） 设备、因此设计简单？如果是电容式的，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，支持隔离以保护系统运行，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。