固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以及工业和军事应用。无需在隔离侧使用单独的电源，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，涵盖白色家电、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。特别是对于高速开关应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。工业过程控制、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，负载是否具有电阻性，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以满足各种应用和作环境的特定需求。航空航天和医疗系统。例如，