固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。但还有许多其他设计和性能考虑因素。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，

此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而简化了 SSR 设计。供暖、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。例如，每个部分包含一个线圈，从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。