固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，可用于创建自定义 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、如果负载是感性的，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

此外，从而简化了 SSR 设计。此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，在MOSFET关断期间，工业过程控制、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。