固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。在MOSFET关断期间，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，负载是否具有电阻性，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，