固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以及工业和军事应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而实现高功率和高压SSR。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，供暖、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。