固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，该技术与标准CMOS处理兼容，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以及工业和军事应用。涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而简化了 SSR 设计。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要散热和足够的气流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而实现高功率和高压SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。供暖、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。