固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。可用于创建自定义 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。航空航天和医疗系统。

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、负载是否具有电阻性，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。