固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。涵盖白色家电、还需要散热和足够的气流。供暖、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，航空航天和医疗系统。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。