固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，支持隔离以保护系统运行，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工业过程控制、还需要散热和足够的气流。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。