史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光
快科技6月29日消息， 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低， 据悉，可满足2035年之后的制程需求。 数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，而且良率也有限。 【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技 责任编辑：朝晖
Benschop指出，
目前标准EUV光刻机的NA为0.33，
Jos Benschop表示，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。印刷分辨率就越高。最新一代High NA EUV则提升至0.55。为未来十年的芯片产业做准备。目前尚未设定具体上市时间表。ASML正与蔡司进行设计研究，
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